Společnost Samsung tento týden skutečně odstartovala výrobu pomocí svého nejmodernějšího procesu, jímž je 3nm s tranzistory GAA, neboli Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), jak je sám Samsung nazývá.
Diskuze k článku: Samsung odstartoval výrobu pomocí 3nm procesu s tranzistory GAA
30.6.2022, Jan Vítek, aktualita
Kdyz vyrobci cipu uvadeji zlepseni spotreby a zlepseni vykonu (kmitoctu) znamana to vzdy zlepseni pri zmene jen jednoho z tech parametru.
Zakaznik se pak muze rozhodnout, jak moc mu u konkretniho pouziti zalezi na spotrebe nebo naopak na vykonu.
Kdyz chce cip prodavat jako ultramobilni, ktery ma stejny vykon, ale je uspornejsi, nez predchozi verze, necha mu stejny kmitocet a vyzije cely potencial pro snizeni spotreby.
Kdyz naopak honi vykon, zvedne stejnemu cipu kmitoce na maximum, ktere jeste zvladne uchladit.
Bezna realita bude nekde mezi temito extremy.
Zakaznik se pak muze rozhodnout, jak moc mu u konkretniho pouziti zalezi na spotrebe nebo naopak na vykonu.
Kdyz chce cip prodavat jako ultramobilni, ktery ma stejny vykon, ale je uspornejsi, nez predchozi verze, necha mu stejny kmitocet a vyzije cely potencial pro snizeni spotreby.
Kdyz naopak honi vykon, zvedne stejnemu cipu kmitoce na maximum, ktere jeste zvladne uchladit.
Bezna realita bude nekde mezi temito extremy.
Odpovědět1 0
Zajímá Vás tato diskuze? Začněte ji sledovat a když přibude nový komentář, pošleme Vám e-mail.
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.
reklama
reklama
Z dalších serverů
-50.webp)